Основные параметры установки:

· Ускоряющее напряжение от 40 до 120 кэВ.
· Термоэлектронный источник электронов (LaB6).
· Точечная разрешающая способность прибора не хуже 0,4 нм.
· Разрешение по линиям не хуже 0,2 нм.
· Разрешение проекционной линзы 4 нм.
· Максимальное увеличение избранной области 500000 раз.



Основные возможности: микроструктурный и дифракционный анализ пленок проводящего не магнитного не органического материала толщиной не более 100 нм.

Основные направления использования установки:

1. Исследование микроструктуры и морфологии конструкционных материалов.
2. Контроль качества образцов для атомно-зондовой томографии.



Направления расширения возможностей установки и направлений применения:

Установка системы цифровой регистрации изображения изучаемого образца. Программная обработка полученных изображений и расшифровка дифракционных картин.



Произведен компанией JEOL, Япония, 1986 г.